一种GaAs基芯片的切割方法

本发明公开了一种GaAs基芯片的切割方法，包括：获取GaAs晶圆及其预设的多个待分离芯片间的切割道信息，并基于切割道金属层信息，将切割道细分并分别对待处理的金属层子切割道与非金属层子切割道制定相应的激光束参数，利用调制后的激光束精准照射并熔断子切割道金属层，实现多层结构逐一分解，随后实施隐形切割，在所有子切割道上形成改质层，以确保后续无损剥离。本发明通过对不同材质、厚度的金属层进行精确熔断与隐形切割，有效避免了传统切割方式造成的热影响区过大和芯片损伤问题，显著提升了GaAs基芯片的切割质量和良品率。