摘要
本发明提供了一种微显示芯片制备方法及微显示芯片,制备方法包括:提供一生长衬底和CMOS驱动晶圆,在生长衬底上生长发光结构,通过键合层将发光结构和CMOS驱动晶圆连接,去除生长衬底和部分发光结构,在去除部分发光结构的外延层表面进行多次刻蚀,形成若干相互独立的微显示单元,外延层表面沉积完全覆盖微显示单元的绝缘介质层,将微显示单元之间的绝缘介质层进行刻蚀后得到沟槽,在沟槽内沉积导电材料形成导电沟槽,在相邻的导电沟槽之间沉积导电金属,形成金属电极,得到目标微显示芯片,金属电极的轴线方向与导电沟槽的轴线方向垂直。本申请制备的微显示芯片减少了电极对芯片出光的遮挡,提高了芯片的发光效率。
技术关键词
导电沟槽
发光结构
生长衬底
金属电极
芯片
沉积导电金属
P型GaN层
显示阵列驱动电路
多量子阱层
晶圆表面沉积
绝缘
介质
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外延
金属触点
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