一种低杂散电感IGBT模块芯片的布局结构及制作方法

本发明属于电子器件技术领域，涉及一种低杂散电感IGBT模块芯片的布局结构及制作方法。基板上左右对称设置有多个芯片，芯片包括IGBT芯片和FRD芯片，所述基板上还设置有第一铜层、第二铜层、第五铜层；第一铜层与IGBT芯片的集电极、FRD芯片的阴极相连接；第二铜层与基板左侧的芯片的发射极和阳极相连接，第五铜层与基板右侧的芯片的发射极和阳极相连接；基板的中心位置设置有端子连接部，第三铜层与每个芯片的驱动信号端子相连接的回路的长度相等。将驱动信号端子放置在DBC基板中间位置，与4个并联IGBT芯片栅极距离相同，且通过键合线与芯片栅极直接连接。