功率模块

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功率模块
申请号:CN202410849452
申请日期:2024-06-27
公开号:CN118782569B
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本发明实施例涉及半导体器件技术领域,公开了一种功率模块。本发明实施例的功率模块中,通过在第一金属箔和第三金属箔设置通孔,并将用于电连接上桥芯片栅极的第二金属箔,和电连接下桥芯片的栅极的第四金属箔分别设于不同的通孔中,而不是将第二金属箔和第四金属箔设置于第一金属箔及第三金属箔外缘,可以减小设置于基板上的金属箔的总面积,提高功率模块内部结构的集成度。
技术关键词
金属箔 功率模块 芯片 端子 栅极 基板 半导体器件技术 上桥电路 场效应晶体管 电阻 导线 通孔
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