ESD保护器件及芯片

本发明涉及一种ESD保护器件及芯片，所述器件包括：N型区；P型区，与N型区相邻设置；P型掺杂区，位于N型区中；第一N型掺杂区，位于P型区中；第二N型掺杂区，位于P型区中，第一N型掺杂区位于第二N型掺杂区与P型掺杂区之间；第一栅极，位于第一N型掺杂区和第二N型掺杂区之间的区域的上方；第一N型掺杂区和第一栅极连接ESD保护器件的负极，P型掺杂区连接ESD保护器件的正极；ESD保护器件还包括分压单元，分压单元的一端连接第二N型掺杂区、另一端连接ESD保护器件的正极。本发明既发挥了GGNMOS导通快的特点，又发挥了SCR放电能力强的特点。同时，由于初始使用GGNMOS泄放一部分电流，可以使保持电流大幅度抬升，有效提升ESD保护器件的抗闩锁能力。