一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺

本发明公开了一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺。肖特基二极管的阴阳极在同一平面内，结构外围为阴极欧姆接触层，中心为阳极肖特基金属层，二者之间各层材料结构依次为AlGaN势垒层和GaN衬底层。本发明的原位制样方法，采用FIB制样技术和选区断路的方法完成样品与芯片的连接，可以在透射电子显微镜下实时观察器件的失效行为，本发明的加工工艺，在制样过程中通过氧化硅实现阳极和二维电子器的有效隔离。同时，氧化硅隔离可防止电源短路，使电流通过路径更短，效率更高，可以有效防止离子束进行操作时损坏样品表面和下面的金属功能区。从而解决器件功率转换效率低和电极短路等问题。