一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法

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一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法
申请号:CN202411971299
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119758621B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光电器件制备技术领域,尤其涉及一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法,钛酸钡电光调制器芯片包括衬底层、缓冲薄膜层、钛酸钡薄膜层、第一保护层、氮化硅薄膜、第二保护层和两个电极,通过钛酸钡薄膜层上的钛酸钡波导和氮化硅薄膜的氮化硅波导组成氮化硅+钛酸钡的多层波导材料结构,基于氮化硅波导的低损耗特性进行光的传输,调制时,光信号通过氮化硅波导和钛酸钡波导的层间耦合进入钛酸钡波导,通过电极施加电场改变钛酸钡波导的折射率,并基于钛酸钡波导的高电光系数特性进行信号的调制,调制完成后再进入氮化硅波导进行传输,输出调制后的光信号,实现电光调制器芯片传输光信号过程的低损耗,提高光信号的调制效率。
技术关键词
电光调制器 钛酸钡薄膜 波导 氮化硅薄膜 物理气相沉积方法 芯片 沉积槽 衬底层 薄膜层 电极 电感耦合等离子体 层间耦合器 钛酸锶薄膜 氧化镁薄膜 上沉积 二氧化硅薄膜 光信号
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