一种光波长可调节的激光器芯片及其制备方法

本发明提出了一种光波长可调节的激光器芯片及其制备方法，属于激光器芯片及其制备的技术领域，用以解决半导体激光器波长难以调节的技术问题。本发明激光器芯片包括衬底，衬底背面设有N面电极，衬底正面生长有外延材料，所述外延材料的上表面设有直波导和加热波导，外延材料的上表面除直波导和加热波导外的区域设有绝缘介质层，直波导上设有P面电极，加热波导上设有加热电极；本发明还包括上述激光器芯片的制备方法。本发明在激光器P面电极工艺中，同时制备了P面电极和加热电极，在P面电极加电的同时也在加热电极上加电，改变材料的折射率，达到调节波长的目的。