一种双栅射频开关器件

本发明公开了一种双栅射频开关器件，涉及射频开关技术领域。本发明包括SOI晶圆的衬底层、埋氧层以及器件层；器件层包括源端、漏端、体端一、体端二、栅端一、栅端二；源端和漏端分布于单个NMOS开关器件的两边；体端一、体端二、栅端一以及栅端二分布在源端和漏端的中间；栅端一分布于体端一的上部；栅端二分布于体端二的上面。本发明基于SOI工艺设计的双栅NMOS开关器件方案不仅可以有效减小射频开关芯片的版图面积，相同设计指标情况下可以减少30％到35％的射频版图面积，有效减少芯片成本，提升芯片的竞争力。同时，双栅NMOS开关器件的导通阻抗也会明显减小，有效提高射频开关电路的低频插损性能。