掩膜版图形、半导体装置、其制备方法及设备

本发明提供一种掩膜版图形、半导体装置、其制备方法及设备，掩膜版图形的制备方法包括：识别设计版图中的第一图形区域及第二图形区域，其中，第一图形区域的下层金属层为小于第一线宽的密集图形区域，第二图形区域的下层金属层为大于或等于第一线宽的图形区域；通过逆算计算光刻方法求解出第一图形区域中连接通孔的最大光刻尺寸窗口，依据最大光刻尺寸窗口生成第一光罩图形；通过光学邻近校正算法求解出适配于第二图形区域的第二光罩图形；整合第一光罩图形和第二光罩图形。本发提供了一种混合计算光刻的方法，既能有效解决特定复杂结构光刻工艺窗口难题，又能兼顾生产效率与成本。