半导体器件

本公开涉及半导体器件。半导体器件的所述性能可以被提高。半导体芯片的多个突出电极包括：多个第一突出电极，被布置在与绝缘层的第一区域重叠的位置处；多个第二突出电极，被布置在与所述绝缘层的第二区域重叠的位置处；以及多个第三突出电极，被布置在与所述绝缘层的第三区域重叠的位置处。所述多个第一突出电极以第一节距布置，所述多个第二突出电极以第二节距布置，并且所述多个第三突出电极以与所述第一节距和所述第二节距中的每个节距不同的第三节距布置。