门极换流晶闸管和半导体器件

本申请提供了门极换流晶闸管和半导体器件，门极换流晶闸管包括：第一基区；第二基区，位于第一基区的表面上，第二基区的掺杂类型与第一基区的掺杂类型不同；第三基区，位于第二基区的远离第一基区的表面上，第三基区的掺杂类型与第二基区的掺杂类型相同；第一发射区，位于第三基区的远离第一基区的一侧，第一发射区的掺杂类型与第一基区的掺杂类型相同；至少两个掺杂区，掺杂区至少位于第三基区中和第二基区中，掺杂区与第一发射区不接触，掺杂区的掺杂类型与第二基区相同，掺杂区的掺杂浓度大于第二基区的掺杂浓度，掺杂区的掺杂浓度大于第三基区的掺杂浓度。本申请解决了现有GCT芯片中门极换流晶闸管的关断能力较差的问题。