用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法

本发明提供一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法，将整个版面划分为多个局部区域，并评估局部区域的图形占空比和图形线宽特征，同时，以压印工艺因子和压印材料流动性系数修正辅助图形的特征尺寸。与光刻修正辅助图形的底层逻辑有所差别，本发明将压印工艺特性纳入考量，基于版图特征和压印特性的填充规则，通过增加辅助图形以修正整个版图的占空比和布局，从而提升压印抗蚀剂的填充均匀性和提升压印底膜均匀性。