红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片

本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片。红外光电器件包括：衬底，所述衬底上形成有p型掺杂区和n型掺杂区，其中，所述p型掺杂区与所述n型掺杂区不接触；单晶窄带隙材料台面，设置于所述衬底的上表面，且位于所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间，其中，所述单晶窄带隙材料台面用以控制所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间载流子的流动方向，从而在所述单晶窄带隙材料台面中形成从所述n型掺杂区指向所述p型掺杂区的电场。