摘要
本发明公开了一种高压调控抗闩锁静电与浪涌一体化防护电路,通过由电阻Rn1、电阻Rn2、电阻Rp、齐纳管ZD、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6构成的多结构晶体管辅助触发电路与双SCR触发泄流电路,形成触发电压可调、抗闩锁、强鲁棒性的高集成静电浪涌一体化泄流电路;通过调节不同触发与泄流电路中的关键特征参数及芯片面积,调节静电浪涌防护设计窗口,以满足高压开关或驱动芯片不同工作电压及浪涌泄流的需求,避免静电浪涌脉冲对高压开关或驱动芯片性能的影响,从而解决不同工艺、不同电源域、不同应用场景的多类型高压开关或驱动芯片因瞬间脉冲、电浪涌引发的性能退化、电路失效等问题。
技术关键词
晶体管
防护电路
电阻
高压开关
驱动芯片
多晶硅
多结构
P型掺杂区
集成静电
泄流电路
浪涌脉冲
衬底电极
应力
强鲁棒性
电流
电压可调
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