一种基于光电混合卷积神经网络的掩膜版制备方法

本申请提供一种基于光电混合卷积神经网络的掩膜版制备方法，包括以下步骤：搭建电学卷积神经网络，基于卷积神经网络推导卷积核权重与光学卷积层相位掩膜高度分布之间的关系设计掩膜版图案；将图案从掩膜版上转移到基片上；对基片上的图案进行刻蚀，裸露的区域基片被蚀去，其它区域光刻胶被蚀去，从而在基片表面形成高度差，重复曝光、刻蚀多次即得，紫外光刻需要掩膜版，需要基于卷积神经网络设计和制造光刻掩膜版，再用紫外光刻机将图案从掩膜版上转移到基片上，最后用ICP刻蚀机进行刻蚀，裸露的区域基片被蚀去，其它区域光刻胶被蚀去，从而在基片表面形成了高度差，经过曝光、ICP刻蚀重复三次，得到了四层微结构，可降低计算量，从而降低功耗。