一种可用于高灵敏度接收前端的低温低噪声放大器

本发明涉及一种可用于高灵敏度接收前端的低温低噪声放大器，该低温低噪声放大器包括三级InP裸管芯和六路偏置匹配电路；三级InP裸管芯分别为：第一级管芯T1、第二级管芯T2和第三级管芯T3；六路偏置匹配电路，分别为：第一级管芯T1输入偏置匹配电路、第一级管芯T1输出偏置匹配电路、第二级管芯T2输入偏置匹配电路、第二级管芯T2输出偏置匹配电路、第三级管芯T3输入偏置匹配电路、第三级管芯T3输出偏置匹配电路。本发明采用InP HEMT来设计低温低噪声放大器，实现基于InP HEMT裸管芯设计的混合集成电路。通过采用InP HEMT来设计放大器，可以进一步降低极低温度下低噪放的噪声温度，突破GaAs HEMT的噪声极限。