芯片内负载的稳压结构、芯片及稳压结构的制作方法

本申请实施例提供了一种芯片内负载的稳压结构、芯片及稳压结构的制作方法，涉及半导体芯片设计的技术领域，其中，该芯片内负载的稳压结构，包括：基底层，包括冗余栅极、冗余有源区、基底，其中，所述冗余栅极与所述基底形成冗余MOS管，以提供冗余MOS管电容值；所述冗余有源区与所述基底形成PN结，以提供PN结电容值；其中，所述冗余MOS管、所述PN结与芯片的负载的电源网络并联连接。通过本申请实施例，解决了相关技术中的芯片的负载两端的电压不稳定的问题。