基于物理约束的半导体器件工艺结构参数自动改进方法

本发明公开了一种基于物理约束的半导体器件工艺结构参数自动改进方法，包括S1：设定预期器件电学性能参数；S2：规划工艺结构参数范围；S3：选择器件电学性能表征方法；S4：定义物理约束条件；S5：设计基于物理知识的目标函数；S6：根据自动设计流程编写程序脚本并运行；S7：获取设计结束后的满足物理约束且改进设计指标的工艺结构参数。本发明基于物理约束，对半导体器件的工艺结构参数进行自动改进，可在数分钟至数小时内给出满足物理约束且改进电学性能的半导体器件工艺结构参数。