一种反极性红光LED芯片及其制作方法

本发明涉及LED芯片技术领域，具体是涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。该反极性红光LED芯片包括背面电极、Si衬底、第二键合层、第一键合层、阻挡层、Ag镜面、透明导电膜层、介质膜、注入层、P型窗口层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、正面电极、高阻结构、钝化层。本发明通过从制作工艺上进行优化，得到的反极性红光LED芯片性能稳定，可靠性好，亮度高，该制作方法工艺可控，操作方便，成本低。