倒装发光二极管芯片及其制备方法

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倒装发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202411566588
申请日期:2024-11-05
公开号:CN119730505A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次叠设的衬底、键合层和外延层;键合层的折射率大于或者等于衬底的折射率。本公开可以提高倒装发光二极管芯片的发光角度。
技术关键词
衬底 半导体层 外延 电极 发光二极管芯片 抛光
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