一种反激芯片损耗状态监控方法和系统

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一种反激芯片损耗状态监控方法和系统
申请号:CN202410903409
申请日期:2024-07-08
公开号:CN118444200B
公开日期:2024-09-24
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种反激芯片损耗状态监控方法和系统,方法包括:检测反激芯片的输出电压压降变化,判断其是否超出预设的阈值变化率;使用第一比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第一阈值压降,若超出,则输出翻转信号;使用第二比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第二阈值压降,若超出,则输出翻转信号,其中,所述第一阈值压降小于第二阈值压降;使用计时器在第一比较器输出翻转时刻开始计时,以确定压降变化是否在预设的计时时间T内超出阈值变化率;根据第一比较器和第二比较器的输出翻转信号及计时器的计时结果,判断反激芯片的损耗状态是否正常。能够及时识别电压异常,增强了监控系统的灵敏度和适应性。
技术关键词
反激芯片 电压 计时器 状态监控方法 分类边界 信号 统计特征 状态判断单元 历史运行数据 损耗监控系统 正则化参数 异常事件 状态监控系统 凸二次规划 异常状态 模式 控制策略
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