一种垂直腔面激光外延结构

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一种垂直腔面激光外延结构
申请号:CN202410908053
申请日期:2024-07-08
公开号:CN118867844A
公开日期:2024-10-29
类型:发明专利
摘要
本发明涉及垂直腔面激光器技术领域,尤其为一种垂直腔面激光外延结构,包括外延片主体,所述外延片主体包括基板、第一单晶薄膜和第二单晶薄膜,所述基板的顶部从下到上依次固定连接有第一单晶薄膜、第二单晶薄膜、第三单晶薄膜、第四单晶薄膜、第五单晶薄膜、第六单晶薄膜、第七单晶薄膜、第八单晶薄膜、第九单晶薄膜、第十单晶薄膜、第十一单晶薄膜和第十二单晶薄膜,本发明中,通过设置的基板对多层单晶体薄膜进行承载,不同单晶体薄膜的厚度和组成成分均不同,因此外延片主体中的砷、镓、磷、铝等元素具有特定比例,按照此比例生产出的外延片良品率较高,可以降低外延片的平均生产成本。
技术关键词
单晶薄膜 激光外延结构 外延片 回路 垂直腔面激光器 基板 矩形板结构 出光面积 芯片 元素 间距 尺寸
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