用于测量薄膜和硅基底厚度的复合光谱测量方法及系统

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用于测量薄膜和硅基底厚度的复合光谱测量方法及系统
申请号:CN202410908827
申请日期:2024-07-08
公开号:CN118670280A
公开日期:2024-09-20
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于测量薄膜和硅基底厚度的复合光谱测量方法及系统,该方法设置测量光路和参考光路双光路,使待测样品放在测量光路末端,使参考样品放在参考光路末端,使白光光源输出非偏振平行白光光束,经分束器分为两束,一束进入测量光路,另一束进入参考光路;分别入射在待测样品及参考样品上;收集待测样品及参考样品两者对白光光束的反射光,得到差分反射光谱信号;利用光谱数据曲线拟合算法获得待测样品的各层膜厚度值;使用二向色镜将可见光与近红外光耦合于同一系统,采集待测样品在近红外光波段下的反射光谱,采用傅里叶算法计算待测样品复合光学厚度;由各层膜厚度值和复合光学厚度求得硅基底厚度。本发明测量速度快,稳定性高。
技术关键词
复合光谱测量方法 反射光谱数据 光束 光源模块 介质 可见光光谱 光谱测量系统 二向色镜 薄膜 傅里叶算法 基底 反射率 分束器 光强 红外光谱仪 图像采集模块
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