一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法

本公开实施例提供一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法。该结构包括：第一衬底、介质层和压电层，其中介质层和压电层垂直堆叠并位于第一衬底的表面；第一金属层，位于压电层表面；第二金属层，包括第二金属层谐振器间隔部、第二金属层谐振器电气连接部和第二金属层芯片周边部；第三金属层，位于第二金属层和第二衬底之间，其靠近第一衬底的一侧和第二金属层相接，其远离第一衬底的一侧和第二衬底相接；第二衬底，位于第三金属层之上，其靠近第一衬底一侧的表面和第三金属层相连；空腔结构，位于第二衬底和第一金属层之间。