一种稳定性高的OTP版图结构

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一种稳定性高的OTP版图结构
申请号:CN202421769492
申请日期:2024-07-25
公开号:CN223452331U
公开日期:2025-10-17
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型提供一种稳定性高的OTP版图结构,包括隔离地环和连接在隔离地环内部的电源线VDD、地线GND、三极管区域、电容区域、第一COMS管区域、第二COMS管区域、分压电阻区域、数字区域。本实用新型合理规划了版图信号,元器件布局紧凑,提高了芯片面积利用率;根据版图技术方案中规则进行高精度匹配,保证周围环境的一致性,提高其精度和性能。本实用新型过温保护精度高,实现实时温度监测,提高了芯片自身的可靠性和稳定性,延长器件的使用寿命,基于集成工艺技术,在模块方案中遵循结构紧凑,重要器件严格匹配,增加屏蔽环,保证足够的衬底接触,减少寄生电阻和寄生电容产生干扰,减小芯片面积,节约芯片制造成本。
技术关键词
版图结构 栅极 三极管 温度传感器电路 斯密特触发器 电阻 反相器电路 电源线 隔离环 电容 集成工艺技术 版图技术 布局 电流镜 控制单元 芯片 衬底 输出端
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