一种E型连接结构石墨烯太赫兹超材料传感器及其测量介电常数的方法

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一种E型连接结构石墨烯太赫兹超材料传感器及其测量介电常数的方法
申请号:CN202410919125
申请日期:2024-07-10
公开号:CN118858774A
公开日期:2024-10-29
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种E型连接结构石墨烯太赫兹超材料传感器及其测量介电常数的方法,包括从上至下设置的石墨烯层、聚酰亚胺电介质层和金属底板层;石墨烯层为二维镜像E型正交结构,具有四个E形图案,四个E形图案的开口朝外,镜像布置的E形图案之间分别通过石墨烯中间条带连接,两条石墨烯中间条带呈十字型布置。本发明E型连接结构石墨烯太赫兹超材料传感器采用轻质柔性材料:石墨烯和聚酰亚胺,传感器整体厚度很薄小于四分之一波长厚度,符合亚波长尺寸要求,本发明在2.15‑3.26THz频率内,实现了90%以上的近完美吸收,并且调节石墨烯化学势可以实现传感器吸收率动态调谐,可用于太赫兹低损耗样本介电常数的无损测量,提高检测信号强度和灵敏度。
技术关键词
超材料传感器 聚酰亚胺电介质 谐振 频率 BP神经网络训练 图案 轻质柔性材料 镜像 检测信号强度 验证传感器 条带 四分之一波长 单层石墨烯 仿真分析 关系 结构单元 样本
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