一种光子残差深度网络芯片及其构建方法

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一种光子残差深度网络芯片及其构建方法
申请号:CN202410928319
申请日期:2024-07-11
公开号:CN118839739B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种光子残差深度网络芯片及其构建方法,属于集成光子器件领域,通过片上光子器件的连接方式,级联光子残差块构建光子残差深度网络芯片,并通过训练与光子残差深度网络芯片功能对应的光子残差深度网络获取光子残差深度网络的各残差块的隐藏层中的各神经元参数,将参数加载至光子残差深度网络芯片的各光子残差块的隐藏层中的调制器,实现光子残差深度网络芯片对输入信号的调制。通过将每一个残差块的输入层参数恒等映射至输出层,在训练过程中梯度信息可以通过恒等映射稳定传输,可以解决残差神经网络的梯度消失和爆炸问题。
技术关键词
光电探测器 调制器 分支器 波分复用器 光波导 网络芯片功能 耦合器 光信号 集成光子器件 残差神经网络 功率 加法器 参数 数据 透过率
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