发光二极管及其制备方法

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发光二极管及其制备方法
申请号:CN202410929596
申请日期:2024-07-11
公开号:CN119029099A
公开日期:2024-11-26
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。所述方法包括:在生长衬底上制作外延结构;在所述外延结构上制作介质膜层,所述介质膜层具有多个通孔;在所述介质膜层上生长第一金属层,所述第一金属层通过多个所述通孔与所述外延结构电连接通过所述第二金属层将所述第一金属层键合到键合衬底上,并去除所述生长衬底;对所述外延结构进行图形化处理形成台阶结构;对所述外延结构进行氧气吹扫处理。
技术关键词
外延结构 台阶结构 发光二极管 半导体层 氧气 生长衬底 介质 电极板 台阶侧壁 层叠 通孔 托盘 功率 芯片
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