发光结构及其制备方法、发光芯片及其制备方法

本申请涉及一种发光结构及其制备方法、发光芯片及其制备方法，发光结构位于第一基板在第一方向的一侧，发光结构包括沿第二方向依次设置的第一电极、第一透明导电层、第一半导体层、第二半导体层、第二透明导电层和第二电极；其中，所述第一方向和所述第二方向相交。相较于传统的在第一方向上依次设置基板、两层半导体层、透明导电层和电极的方式，本申请的技术方案可以增大半导体层与透明导电层的接触面积，增大发光结构的导电面积，从而提高发光结构的导电性能和发光效率。