一种提高flash使用寿命的数据存储方法

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一种提高flash使用寿命的数据存储方法
申请号:CN202410934646
申请日期:2024-07-12
公开号:CN118915962A
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本发明涉及flash技术领域,本发明提供了一种提高flash使用寿命的数据存储方法,解决了现有技术的方案复杂,需要对flash各区域进行划分,擦写情况进行管理,影响读写速度,应用不友好等问题;包括如下步骤:步骤1.通过上位机下载写入程序;步骤2.上位机回退程序流程步骤和步骤3.芯片工作流程步骤。这种方法使flash各区域擦除次数一致,不需要记录次数。而且支持首次写入程序的首地址灵活选择,可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上,应用程序跳过此块区域,不需要每次重新烧写。
技术关键词
数据存储方法 flash技术 程序 芯片 入口 备份 速度 寿命
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