一种硅通孔辅助的钙钛矿单晶阵列及与CMOS芯片互连方法

本发明公开了一种硅通孔辅助的钙钛矿单晶阵列及与CMOS芯片互连方法，钙钛矿单晶阵列包括硅基底、隔离层、钙钛矿单晶、公共电极和像素化金属电极，硅基底具有阵列化的贯穿通孔，钙钛矿单晶位于通孔内部，公共电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶的表面上，像素化金属电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶远离公共电极一侧的表面上；在应用过程中，将钙钛矿单晶阵列与CMOS芯片通过倒装焊接技术实现互连。本发明通过利用硅通孔的高精度加工能力与钙钛矿材料的优异性能相结合，确保了与CMOS工艺的兼容性，实现了高质量钙钛矿单晶阵列的像素化和与底层的CMOS读出芯片的高密度集成互连，从而为低成本、高性能X射线成像器件的制造提供了一种创新的技术路径。