一种芯片的钝化膜及生产工艺

本发明公开了一种芯片的钝化膜及生产工艺，包括以下重量份原料：氮化硼纳米片40～60份、硅烷偶联剂KH‑560 5～8份、无水乙醇12～17份、去离子水15～25份、水性环氧树脂3～5份、冰乙酸1～3份，本发明涉及钝化膜技术领域。该芯片的钝化膜及生产工艺，对氮化硼纳米片进行处理，再添加至钝化液中，有效提高了制备的钝化膜的耐腐蚀性能，从而提高了对芯片的防护效果，延长芯片的使用寿命。