一种低应力、低翘曲变形的高可靠SiC功率模块互连结构、SiC功率模块及其制备方法

本发明提供了一种应用于充放电桩的SiC功率模块芯片互连结构、SiC功率模块及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该互连结构包括SiC功率芯片、互连层和覆铜陶瓷基板；互连层的材料为纳米银焊膏；SiC功率芯片以设定烧结温度，通过纳米银焊膏与覆铜陶瓷基板烧结互连；设定烧结温度为220°C。该互连结构能够有效降低充放电桩SiC功率模块烧结互连过程中的应力和翘曲变形，可提高该模块的工作环境温度及使用寿命。应用上述互连结构的SiC功率模块具有较高的可靠性。上述制备方法利用纳米银焊膏的小尺寸效应以及优异的导热性能和力学性能，可以制备出具有高可靠性的充放电桩SiC功率模块。