双向TVS二极管芯片

本发明公开了一种双向TVS二极管芯片，所述双向TVS二极管芯片包括P型衬底，P型衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面上分别扩散形成有第一N型扩散区和第二N型扩散区，当施加于双向TVS二极管芯片两端的电压达到双向TVS二极管芯片的击穿电压时，第一N型扩散区或第二N型扩散区中的电子进入P型衬底中，进而对P型衬底进行电导调制。本发明使用P型衬底制备双向TVS二极管芯片，当施加于双向TVS二极管芯片两端的电压达到双向TVS二极管芯片的击穿电压时，能够对P型衬底进行电导调制，降低双向TVS二极管芯片的钳位电压，提升双向TVS二极管芯片的浪涌承受能力。