摘要
本发明公开了用于减少测试时间的编程及擦除偏置的方法,属于存储器与感测技术领域。本发明改变了逐个执行的编程及擦除方式,而是在执行一个命令时,在芯片上按照算法图执行所设计的内部算法来找到编程及擦除验证水平选项;自动执行编程及擦除操作,从最低的栅极偏置水平开始执行编程及擦除验证,如果失败,则一直执行到最后一个循环计数的编程及擦除操作,逐步提高编程及擦除验证栅极水平,直到编程及擦除验证通过,自动重复进行以找到合适的偏置水平,然后通过内部算法自动进行互补金属氧化物半导体单元阵列编程操作,将前面找到的编程及擦除验证栅极偏置水平存储在互补金属氧化物半导体单元阵列中,从而实现通过一次设置节约时间。
技术关键词
互补金属氧化物半导体
编程
页缓冲区
计数器
栅极
非易失性数据存储
管理存储单元
存储单元阵列
控制器
感测放大器
算法
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