中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法、终端及介质

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中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法、终端及介质
申请号:CN202410948496
申请日期:2024-07-16
公开号:CN118500309B
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法、终端及介质,其中,方法包括:利用物理场拟合方法,对包含有抗氢脆层的靶体分别执行基于沉积分布上的氢扩散性能拟合和基于能量分布的热性能拟合,以对应获取与当前厚度对应的氢原子浓度分布特征和对应的温度分布特征;检测所述氢原子浓度分布特征是否满足氢原子浓度场预设条件,和检测所述温度分布特征是否满足温度场预设条件;于两者均满足时,则将抗氢脆层的当前厚度作为抗氢脆层目标厚度;本发明可以快速、便捷地获取与靶体其他层的物理场性能相适配的抗氢脆层的目标厚度,于提升靶体的抗氢性能的同时,有效地提高了靶体的整体性能。
技术关键词
中子源 分布特征 基准面 有限元模拟方法 蒙特卡洛方法 模拟模型 计算机存储介质 物理 靶体 存储计算机程序 终端 基体 存储器 处理器 热源 功率 坐标系
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