一种高功率二极管及其制备方法

本发明涉及二极管技术领域，公开了高功率二极管及其制备方法，其中，高功率二极管包括衬底层、第一外延层、第二外延层、第一导电层以及第二导电层；第一外延层位于衬底层的一侧表面，第二外延层位于第一外延层背离衬底层的一侧表面，且第二外延层具有扩散区域，第一导电层与扩散区域电连接，第二导电层位于衬底层背离第一外延层的一侧表面，且与衬底层电连接，衬底层与第一外延层的导电类型相反，第二外延层与扩散区域的导电类型相反，且第一外延层的导电类型和第二外延储能的导电类型相反，衬底层和第一外延层之间形成PN结，扩散区域和第二外延层之间形成PN结，通过芯片结构实现了两个PN结的串联，提升了高功率二极管的功率。