宽禁带半导体异质外延层生长工艺参数调节方法及系统

本发明提供宽禁带半导体异质外延层生长工艺参数调节方法及系统，涉及半导体技术领域，包括获取衬底参数构建数字孪生模型预测初期应变演化趋势确定最优初始工艺参数；在生长过程中通过原位椭偏仪、反射式高能电子衍射和声发射传感器获取多源数据，采用深度神经网络计算应变张量场和缺陷密度分布；执行分层递进工艺参数优化；根据优化结果调节生长工艺。该方法能实现工艺参数的精准调控，降低缺陷密度，提高宽禁带半导体异质外延层质量。