一种半导体器件刻蚀工艺智能制造方法及设备、储存介质

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一种半导体器件刻蚀工艺智能制造方法及设备、储存介质
申请号:CN202410954782
申请日期:2024-07-17
公开号:CN118504423B
公开日期:2024-09-20
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种半导体器件刻蚀工艺智能制造方法及设备、储存介质。获取半导体器件的三维点云数据,并对其进行预处理;从预处理后的三维点云数据中提取对应刻蚀结果;对深度学习模型进行训练,最后基于训练好的深度学习模型预测目标半导体器件的刻蚀结果,并根据所述预测结果实时调整刻蚀工艺参数。本发明利用三维3D点云数据通过深度学习模型进行刻蚀结果预测,克服了传统二维数据的局限性,能够更准确地反映半导体器件的实际形貌。通过深度学习模型的引入,显著提高了刻蚀结果预测的精度和效率。本发明还实现实时调整刻蚀工艺参数,实现工艺优化,提升了生产的稳定性和一致性。
技术关键词
三维点云数据 半导体器件 深度学习模型 电子显微镜 耦合等离子体反应器 仿真软件 电感耦合反应器 刻蚀结构 刻蚀工艺条件 生成稀疏点云 仿真数据 生成三维点云 3D点云数据 检测特征点 切片 三维模型 参数
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