基于粒子群算法的SiC MOSFET物理模型参数辨识方法和系统

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基于粒子群算法的SiC MOSFET物理模型参数辨识方法和系统
申请号:CN202410964097
申请日期:2024-07-18
公开号:CN119005089A
公开日期:2024-11-22
类型:发明专利
摘要
本申请公开了基于粒子群算法的SiC MOSFET物理模型参数辨识方法和系统,包括:对SiC MOSFET进行测试,获取SiC MOSFET的测试电压和测试电流,并根据所述测试电压和测试电流,确认粒子群算法的适应度函数;在预设粒子搜寻范围内初始化粒子的初始速度和初始位置;基于所述适应度函数、所述初始速度和所述初始位置,对适应度值进行迭代计算,直到满足终止条件,输出代表SiC MOSFET物理模型参数最优解的所述粒子的位置矩阵;其中,每次迭代时,更新所述粒子的位置矩阵和速度矩阵。本申请可以提高模型参数辨识的效率和准确度。
技术关键词
模型参数辨识方法 粒子群算法 矩阵 双脉冲测试平台 物理 电流 速度 电压 仿真软件 误差 模块 精度 代表 因子
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