基于干式去胶的去胶剥离机半导体圆片损伤评价方法

本申请涉及半导体去胶技术领域，提出了基于干式去胶的去胶剥离机半导体圆片损伤评价方法，包括：获取表面形貌点云数据集；基于表面形貌点云数据集的投影结果获取单晶圆裸片数据点集合，基于超体素中数据点与其临近数据点的高斯曲率以及法向量确定微局部平滑指数；基于数据点的高斯曲率的相似程度确定局部平面近似度，基于局部平面近似度以及微局部平滑指数计算局部消减凹陷因子；基于超体素中数据点到超体素对应最近邻裸片平面上的距离以及局部消减凹陷因子确定局部削减指数；基于待评价去胶晶圆、无损去胶晶圆对应的整体消减向量得到待评价去胶晶圆的评价结果。本申请基于裸片出现削减现象时的数据分布特征得到更为准确的损伤评估结果。