碳化硅芯片的场氧化层制备方法

本发明公开了碳化硅芯片的场氧化层制备方法，具体涉及碳化硅芯片制备技术领域，包括S1、初步处理，S2、检测识别，S3、晶圆处理，S4、双次校对，S5、去除操作，S6、晶圆检测，S7、清洗与退火，S8、最终检测，通过测量光在氧化硅薄膜表面反射后的偏振状态变化。本发明使用高分辨率的图像采集CCD相机对坚膜后的图形进行拍摄，拍摄获取清晰的图像，图像采集过程中光线充足、包括去噪、增强对比度、边缘检测，从预处理后的图像中提取关键特征：线条宽度、间距、形状，检查是否存在偏差或缺陷，比对分析时，可采用自动比对算法的方式，实现自动检测每一步制备是否合格。