一种基于GaN HEMT器件的自热效应建模方法、装置及电子设备

本申请涉及一种基于GaN HEMT的自热效应建模方法、装置及电子设备，涉及电路技术领域，其中方法包括首先获取GaN HEMT器件对应的源漏电流模型中的目标参数数据，目标参数数据包括目标电压参数数据和目标温度参数数据；依据目标电压参数数据和目标温度参数数据，生成GaN HEMT器件对应的目标温度曲线，目标温度曲线为温度随电压变化的曲线；按照目标温度曲线构建GaN HEMT器件对应的温度模型；基于Verilog‑A将温度模型在预设仿真器中进行仿真，得到满足预设仿真条件的目标温度模型。与目前现有技术相比，本申请不需要依赖于复杂的热子电路模型，而是直接利用温度数据和电压数据来建立温度与器件性能之间的关系，极大的提高了仿真器仿真的效率，提高系统的稳定性。