提高闪存烧写速度的方法、装置、设备及存储介质

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提高闪存烧写速度的方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202410971847
申请日期:2024-07-18
公开号:CN119002802A
公开日期:2024-11-22
类型:发明专利
摘要
本发明属于芯片技术领域,公开了一种提高闪存烧写速度的方法、装置、设备及存储介质,方法包括:将通信协议预存在存储空间中,其中,所述通信协议包括命令区和数据区;在检测到所述命令区中的命令状态为完成状态时,向所述命令区中写入闪存烧写命令字,并将所述命令状态更新为就绪状态;在检测到所述命令状态为就绪状态时,读取所述闪存烧写命令字并执行所述闪存烧写命令字对应的闪存烧写操作,将所述命令状态更新为执行状态;对闪存执行所述闪存烧写操作,将所述数据区中的待烧写数据烧写至所述闪存中,并在执行完所述闪存烧写操作后将所述命令状态更新为完成状态。本发明解决了现有技术中通过调试器向闪存中写入程序时,写入速度较慢的问题。
技术关键词
状态更新 命令 循环冗余校验值 速度 存储计算机程序 调试器 存储器 处理器 数据字 可读存储介质 索引 模块 芯片 参数
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