一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法

本发明公开一种基于SOI的长距离硅波导释放加工方法，应用于MOEMS传感器领域，针对现有释放加工技术中存在的HF气体通过硅波导两侧凹槽把下方的SiO2层也腐蚀掉，硅波导由于没有支撑而发生塌断，从而导致加工失败的问题；本发明利用氟化镁强抗氟化氢气体腐蚀的特性，采用一系列微纳加工工艺实现对集成长距离硅波导区域的保护，极大提高了硅波导加工成功率，避免了在长距离硅波导释放加工中非常容易出现的硅波导塌断、偏移、弯曲等加工缺陷。