一种用于制备超冷原子的微型芯片及方法

本发明公开了一种用于制备超冷原子的微型芯片及方法，所述微型芯片包括芯片基底，所述芯片基底上设有氧化隔离层，氧化隔离层通过离子蒸发溅射设有导线刻蚀层，导线刻蚀层上通过光刻法刻有导线，导线设计为双U型导线和双H型导线，导线间的刻槽尺寸为15um。本发明通过芯片上双U型导线和双H型导线所产生的具有极强梯度的势阱场用于片上囚禁和操纵冷原子，一方面解决传统磁光阱中大型线圈和复杂光路对于小型化原子真空物理单元中光学系统及磁场线圈所带来的限制，另一方面其紧凑陡峭的势阱为进一步实现片上快速蒸发冷却制备超冷原子提供有效途径。