一种压接IGBT模块结温估计方法及装置

本申请属于电子技术领域，具体公开了一种压接IGBT模块结温估计方法及装置。本申请，通过根据压接IGBT模块中的压接芯片搭配顶面外壳和底面外壳的热传导路径，建立以顶面外壳的温度为参考温度的第一双面热阻网络模型以及以底面外壳为参考温度的第二双面热阻网络模型。与相关技术中的结温监测方法(如传感器接触测量、光学测量等)难以对压接IGBT芯片进行结温估计相比，本申请通过第一双面热阻网络模型和/或第二双面热阻网络模型，便可以实现对压接IGBT模块中的压接IGBT芯片进行有效地结温估计，降低了对IGBT芯片进行结温估计的测量难度。