二元光掩模及曝光和制备方法

本申请提供一种二元光掩模及曝光和制备方法，二元光掩模曝光方法包括：在曝光前将光掩模基板划分为主图形区域和外围图形区域；针对划分为主图形区域和外围图形区域的光掩模基板，根据主图形区域进行第一次曝光，并根据外围图形区域进行第二次曝光，以在光刻工艺后，得到光掩模的内围图案和外围图案，从而最终制备得到光掩模。本申请通过改变光掩模的曝光，无需对光刻设备进行更改，有效减少光刻时异常颗粒带来的工艺影响，从而顺利完成光掩模版上的图案转移，基于现有工艺设备实现光掩模的光刻等制造工艺，提升光掩模制造的良率，进而提升光掩模在半导体制造过程中的产品良率等，降低生成成本。