一种芯片去层方法

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一种芯片去层方法
申请号:CN202410979166
申请日期:2024-07-22
公开号:CN118899245A
公开日期:2024-11-05
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种芯片去层方法,该方法先通过预处理对芯片减薄,对顶部的若干层布线结构进行去除;然后再将芯片放入烧杯中通过化学反应将中段工艺层和后段工艺层完全去除,以显露出前段工艺层。相较于将芯片放入化学溶液浸泡一次性去除后段工艺层及中段工艺层,通过本发明的预处理过程有利于提高芯片表面的平整度。先经过较短时间的预处理,去除上层的部分布线结构层,保证芯片中间区域保留的布线结构层数与芯片边缘区域保留的布线结构层数相差不超过2层,然后再通过后续的化学反应最终去除干净。此外,本发明还对显露的前段工艺层表面涂布有机薄膜,从而将前段工艺层表面的高低起伏进行补偿,获得平整的表面,进而提升显微镜下的影像清晰度。
技术关键词
去层方法 芯片 溶液 耐酸碱 布线结构层 表面涂布 薄膜 机台 氢氟酸 碱性 显微镜 短时间 物理 氨水 醋酸 硝酸 衬底 影像
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